OPA699IDRG4

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OPA699IDRG4中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00V min

通道数 1

耗散功率 174.4 mW

共模抑制比 54 dB

带宽 260 MHz

转换速率 1.40 kV/μs

增益频宽积 880 MHz

可用通道 S

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

共模抑制比Min 54 dB

电源电压Max 12 V

电源电压Min 5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买OPA699IDRG4
型号: OPA699IDRG4
制造商: TI 德州仪器
描述:OPA699: Wideband, High Gain Voltage Limiting Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃
替代型号OPA699IDRG4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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TI 德州仪器

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