PESD5Z12,115中文资料参数规格
技术参数
工作电压 12 V
电容 75 pF
击穿电压 14.1 V
电路数 1
钳位电压 30 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 200 W
最小反向击穿电压 14.1 V
击穿电压 14.1 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-523
外形尺寸
长度 1.25 mm
高度 0.65 mm
封装 SOD-523
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 以太网
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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替代型号PESD5Z12,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PESD5Z12,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
ESDA18-1K 意法半导体 | 功能相似 | PESD5Z12,115和ESDA18-1K的区别 |
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