PESD15VS2UQ,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PESD15VS2UQ,115中文资料参数规格

技术参数

电容 70 pF

钳位电压 40 V

测试电流 5 mA

脉冲峰值功率 150 W

最小反向击穿电压 17.6 V

击穿电压 17.6 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-663

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-663

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PESD15VS2UQ,115

型号： PESD15VS2UQ,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：ESD ElectroStatic Discharge Protection Unidirectional Diode Arrays, PESD Series, NXP ### 瞬态电压抑制器，NXP

替代型号PESD15VS2UQ,115

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PESD15VS2UQ,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PESD15VS2UQ 安世	功能相似	PESD15VS2UQ,115和PESD15VS2UQ的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PESD15VS2UQ,115

NXP 恩智浦

当前型号

PESD15VS2UQ

安世

功能相似