PESD3V3V4UW,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PESD3V3V4UW,115中文资料参数规格

技术参数

电容 18 pF

钳位电压 11 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 16 W

最小反向击穿电压 5.3 V

击穿电压 5.3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-665

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SOT-665

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PESD3V3V4UW,115

型号： PESD3V3V4UW,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：PESD3V3V4UW 系列 5.6 V 15 pF 四通道 ESD 保护二极管 - SOT 665

替代型号PESD3V3V4UW,115

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PESD3V3V4UW,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PESD3V3V4UW 恩智浦	功能相似	PESD3V3V4UW,115和PESD3V3V4UW的区别

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PESD3V3V4UW,115

NXP 恩智浦

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