PMBT3906

PMBT3906图片1
PMBT3906图片2
PMBT3906图片3
PMBT3906图片4
PMBT3906图片5
PMBT3906图片6
PMBT3906概述

PMBT3906

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −200mV/-0.2V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP switching transistor FEATURES • Low current • Low voltage APPLICATIONS • Telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION PNP switching transistor in a SOT23 plastic package. NPN complement: PMBT3904. 描述与应用| PNP开关 特点 •低电流 •低电压 应用 •专业的电话和通信设备。 说明 PNP开关晶体管在SOT23塑料包装。 NPN补充:PMBT3904。

PMBT3906中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

封装 TO-236

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

PMBT3906引脚图与封装图
PMBT3906引脚图
PMBT3906封装图
PMBT3906封装焊盘图
在线购买PMBT3906
型号: PMBT3906
制造商: NXP 恩智浦
描述:PMBT3906
替代型号PMBT3906
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PMBT3906

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PMBT3906,235

恩智浦

完全替代

PMBT3906和PMBT3906,235的区别

PMBT3906,215

安世

类似代替

PMBT3906和PMBT3906,215的区别

MMBT3906,215

安世

类似代替

PMBT3906和MMBT3906,215的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台