P6SMB16AT3G

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P6SMB16AT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 16.0 V

工作电压 13.6 V

电容 1110 pF

额定功率 600 W

击穿电压 16 V

钳位电压 22.5 V

最大反向电压(Vrrm) 13.6V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 16.8 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 15.2 V

击穿电压 15.2 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 3.95 mm

高度 2.2 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买P6SMB16AT3G
型号: P6SMB16AT3G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:P6SMB 系列 16.8 V 600 W 单向 齐纳 瞬态电压抑制器
替代型号P6SMB16AT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

P6SMB16AT3G

ON Semiconductor 安森美

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SZP6SMB16AT3G

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完全替代

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1SMB16AT3G

安森美

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P6SMB16AT3G和1SMB16AT3G的区别

P6SMB16AT3

安森美

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