PMBS3906

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PMBS3906概述

PMBS3906

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP general purpose transistor FEATURES • Low current • Low voltage • NPN complement: PMBS3904 APPLICATIONS • General purpose switching and amplification, e.g.telephony and professional communication equipment. 描述与应用| PNP通用晶体管 特点 •低电流 •低电压 •NPN补充:PMBS3904 应用 •通用开关和放大,的egtelephony和专业的通信设备。

PMBS3906中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

封装 TO-236

外形尺寸

封装 TO-236

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

PMBS3906引脚图与封装图
PMBS3906引脚图
PMBS3906封装图
PMBS3906封装焊盘图
在线购买PMBS3906
型号: PMBS3906
制造商: NXP 恩智浦
描述:PMBS3906
替代型号PMBS3906
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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