NXP PBSS5350Z 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 200 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.35W Description & Applications| 50 V low VCEsat PNP transistor FEATURES • SOT89 SC-62 package • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • Reduced printed-circuit board requirements. • NPN complement: PBSS4350Z. APPLICATIONS • Power management – DC/DC converters – Supply line switching – Battery charger – LCD backlighting. • Peripheral drivers – Driver in low supply voltage applications e.g. lamps and LEDs. – Inductive load driver e.g. relays, buzzers and motors. 描述与应用| 50伏的低VCE(sat)的PNP 特点 •SOT89(SC-62)封装 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 •高集电极电流能力:IC和ICM •更高的效率,导致产生的热量少 •减少印刷电路板的要求。 •NPN补充:PBSS4350Z。 应用 •电源管理 - DC/ DC转换器 - 电源线开关 - 电池充电器 - LCD背光。 •外设驱动程序 - 驱动器,在低电源电压应用(例如灯具和LED)。 - 感性负载驱动器(如继电器,蜂鸣器和电机)。
针脚数 4
极性 PNP
耗散功率 1.35 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 100
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 SOT-223
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Signal Processing, Motor Drive & Control, Lighting
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PBSS5350Z NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
DJT4030P-13 美台 | 功能相似 | PBSS5350Z和DJT4030P-13的区别 |
FZT749 飞兆/仙童 | 功能相似 | PBSS5350Z和FZT749的区别 |
FZT1151ATA 美台 | 功能相似 | PBSS5350Z和FZT1151ATA的区别 |