PBSS5350Z

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PBSS5350Z概述

NXP  PBSS5350Z  单晶体管 双极, PNP, 50 V, 1.35 W, 3 A, 200 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 200 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.35W Description & Applications| 50 V low VCEsat PNP transistor FEATURES • SOT89 SC-62 package • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • Reduced printed-circuit board requirements. • NPN complement: PBSS4350Z. APPLICATIONS • Power management – DC/DC converters – Supply line switching – Battery charger – LCD backlighting. • Peripheral drivers – Driver in low supply voltage applications e.g. lamps and LEDs. – Inductive load driver e.g. relays, buzzers and motors. 描述与应用| 50伏的低VCE(sat)的PNP 特点 •SOT89(SC-62)封装 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 •高集电极电流能力:IC和ICM •更高的效率,导致产生的热量少 •减少印刷电路板的要求。 •NPN补充:PBSS4350Z。 应用 •电源管理 - DC/ DC转换器 - 电源线开关 - 电池充电器 - LCD背光。 •外设驱动程序 - 驱动器,在低电源电压应用(例如灯具和LED)。 - 感性负载驱动器(如继电器,蜂鸣器和电机)。

PBSS5350Z中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

极性 PNP

耗散功率 1.35 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Signal Processing, Motor Drive & Control, Lighting

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

PBSS5350Z引脚图与封装图
PBSS5350Z引脚图
PBSS5350Z封装图
PBSS5350Z封装焊盘图
在线购买PBSS5350Z
型号: PBSS5350Z
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PBSS5350Z  单晶体管 双极, PNP, 50 V, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
替代型号PBSS5350Z
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS5350Z

NXP 恩智浦

当前型号

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美台

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