PCF8570T/F5,512

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PCF8570T/F5,512概述

静态随机存取存储器 256X8-BIT CMOS

SRAM Memory IC 2Kb 256 x 8 I²C 100kHz 8-SO


得捷:
IC SRAM 2KBIT I2C 100KHZ 8SO


贸泽:
静态随机存取存储器 256X8-BIT CMOS


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 3.3V/5V 2K-Bit 256 x 8 3.4us 8-Pin SO Tube


安富利:
SRAM Chip Sync Single 3.3V/5V 2K-Bit 256 x 8 3.4us 8-Pin SO Tube


Win Source:
IC SRAM 2KBIT 100KHZ 8SO


PCF8570T/F5,512中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.50V min

时钟频率 100 kHz

位数 8

内存容量 2000 B

存取时间Max 3400 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PCF8570T/F5,512
型号: PCF8570T/F5,512
制造商: NXP 恩智浦
描述:静态随机存取存储器 256X8-BIT CMOS
替代型号PCF8570T/F5,512
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PCF8570T/F5,512

NXP 恩智浦

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