P6SMB30AT3G

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P6SMB30AT3G概述

600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,P6SMB 系列(双向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

The P6SMB series unidirectional Zener Transient Voltage Suppressor Diode designed to protect voltage sensitive components from high voltage and high energy transients. It has excellent clamping capability, high surge capability, low Zener impedance and fast response time.

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5.8 to 171V Working peak reverse voltage range
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600W @ 1ms Peak power
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ESD rating of Class 3 >16kV per human body model
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Maximum clamp voltage @ peak pulse current
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<5µA above 10V Low leakage current
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6.8 to 200V Standard Zener breakdown voltage range
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<1ns Response time
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-65 to 150°C Operating temperature range
P6SMB30AT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

工作电压 25.6 V

额定功率 600 W

击穿电压 30 V

电路数 1

通道数 1

针脚数 2

耗散功率 600 W

钳位电压 41.4 V

最大反向电压(Vrrm) 25.6V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 31.5 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 28.5 V

击穿电压 28.5 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 4.32 mm

宽度 3.95 mm

高度 2.27 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automation & Process Control, Industrial, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Power Management, 汽车级, Automotive, Consumer Electronics, Medical

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

P6SMB30AT3G引脚图与封装图
P6SMB30AT3G引脚图
P6SMB30AT3G封装焊盘图
在线购买P6SMB30AT3G
型号: P6SMB30AT3G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,P6SMB 系列(双向) ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
替代型号P6SMB30AT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

P6SMB30AT3G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

SZP6SMB30AT3G

安森美

完全替代

P6SMB30AT3G和SZP6SMB30AT3G的区别

1SMB30AT3G

安森美

类似代替

P6SMB30AT3G和1SMB30AT3G的区别

P6SMB30AT3

安森美

类似代替

P6SMB30AT3G和P6SMB30AT3的区别

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