PZT2907AT1G

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PZT2907AT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  PZT2907AT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 200 hFE

通用 NPN ,最大 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
通用 NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


得捷:
TRANS PNP 60V 600MA SOT223


立创商城:
PZT2907AT1G


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 600mA 60V PNP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Allied Electronics:
TRANSISTOR; SWITCHING; NPN; -60; -60; -5.0; -600 COLLECTOR; 1.5W; 100 HFE MIN.


安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 200 MHz, 500 mW, -600 mA, 200 hFE


DeviceMart:
TRANS SS SW PNP 600MA 60V SOT223


Win Source:
TRANS PNP 60V 0.6A SOT223


PZT2907AT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -600 mA

针脚数 4

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 1.5 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.57 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, Industrial, Power Management, Automotive, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

PZT2907AT1G引脚图与封装图
PZT2907AT1G引脚图
PZT2907AT1G封装焊盘图
在线购买PZT2907AT1G
型号: PZT2907AT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  PZT2907AT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 200 hFE
替代型号PZT2907AT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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