NXP PUMD13 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363
The is a NPN-PNP Resistor Equipped Transistor Array in a surface-mount plastic package. This bipolar device is suitable for low current peripheral driver, control of IC inputs and replaces general-purpose transistors in digital applications.
- .
- Built-in bias resistors
- .
- Simplifies circuit design
- .
- Reduces component count
- .
- PUMB2 dual PNP complement
- .
- PUMH12 dual NPN complement
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
封装 SOT-363
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial, Automation & Process Control, Computers & Computer Peripherals, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PUMD13 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5333DW1T1G 安森美 | 功能相似 | PUMD13和MUN5333DW1T1G的区别 |
PUMD13,115 恩智浦 | 功能相似 | PUMD13和PUMD13,115的区别 |
MUN5333DW1T1 安森美 | 功能相似 | PUMD13和MUN5333DW1T1的区别 |