PUMD4中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 200
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PUMD4引脚图与封装图 
在线购买PUMD4
型号： PUMD4
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PUMD4 双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363
替代型号PUMD4
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PUMD4 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PUMD4,115 安世 | 功能相似 | PUMD4和PUMD4,115的区别 |