PUMB3

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PUMB3概述

NXP  PUMB3  双极晶体管阵列, BRT, PNP, 50 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-363

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -100MA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 4.7KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 基极与基极-发射极输入电阻比R1/R2 Base-Emitter Input Resistance RatioR1/R2 | 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 200 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 250MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation | 200MW/0.2W 描述与应用 Description & Applications |  PNP / PNP型resistor-equipped ;   R1 = 4.7 kΩ,R2 =开放   
.
内置的偏置电阻   *简化电路设计   *减少组件数量   *减少选择和成本。   *控制集成电路的输入。 技术文档PDF下载 | 在线阅读
PUMB3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 200

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: PUMB3
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PUMB3  双极晶体管阵列, BRT, PNP, 50 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-363
替代型号PUMB3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PUMB3

NXP 恩智浦

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PUMB3,115

恩智浦

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PUMB3和PUMB3,115的区别

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