NXP PUMB3 双极晶体管阵列, BRT, PNP, 50 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-363
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -100MA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 4.7KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 基极与基极-发射极输入电阻比R1/R2 Base-Emitter Input Resistance RatioR1/R2 | 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 200 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 250MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation | 200MW/0.2W 描述与应用 Description & Applications | PNP / PNP型resistor-equipped ; R1 = 4.7 kΩ,R2 =开放针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 200
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
封装 SOT-363
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
PUMB3 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PUMB3,115 恩智浦 | 功能相似 | PUMB3和PUMB3,115的区别 |