PSMN3R4-30PL中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 3.4 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 114 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 100A
输入电容Ciss 3907pF @12VVds
额定功率Max 114 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 114 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
长度 10.3 mm
宽度 4.7 mm
高度 16 mm
封装 TO-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PSMN3R4-30PL
型号： PSMN3R4-30PL
制造商：
NXP
恩智浦
描述：N 通道 MOSFET，超过 100A，NXP semiconductors ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors