PSMN4R0-30YL

PSMN4R0-30YL图片1
PSMN4R0-30YL图片2
PSMN4R0-30YL中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 2.72 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 69 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 99.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PSMN4R0-30YL
型号: PSMN4R0-30YL
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PSMN4R0-30YL  晶体管, MOSFET, N沟道, 99 A, 30 V, 2.72 mohm, 10 V, 1.7 V
替代型号PSMN4R0-30YL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PSMN4R0-30YL

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PSMN4R0-30YL,115

恩智浦

类似代替

PSMN4R0-30YL和PSMN4R0-30YL,115的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台