PSMN2R0-30YL参数规格_中文资料_数据手册PDF

PSMN2R0-30YL中文资料参数规格

技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 1.55 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 97 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 100 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买PSMN2R0-30YL

型号： PSMN2R0-30YL

制造商： NXP 恩智浦

描述：N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET

替代型号PSMN2R0-30YL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PSMN2R0-30YL NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PSMN2R0-30YL,115 恩智浦	类似代替	PSMN2R0-30YL和PSMN2R0-30YL,115的区别

型号/品牌

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PSMN2R0-30YL

NXP 恩智浦

当前型号

PSMN2R0-30YL,115

恩智浦

类似代替