PSMN4R2-30MLD

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PSMN4R2-30MLD中文资料参数规格
技术参数

针脚数 5

漏源极电阻 0.0035 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 65 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 70A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-1210

外形尺寸

封装 SOT-1210

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Exempt

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买PSMN4R2-30MLD
型号: PSMN4R2-30MLD
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PSMN4R2-30MLD  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.7 V

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