PSMN2R2-40PS

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PSMN2R2-40PS中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 306 W

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 8423pF @20VVds

额定功率Max 306 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: PSMN2R2-40PS
制造商: NXP 恩智浦
描述:N沟道40 V 2.1英里©标准级MOSFET N-channel 40 V 2.1 mΩ standard level MOSFET

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