PSMN016-100YS概述
NXP PSMN016-100YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 100 V, 12.7 mohm, 10 V, 3 V
The is a 100V standard level N-channel MOSFET using advanced TrenchMOS provides low RDS on and low gate charge and high efficiency gains in switching power converters. Suitable for use in DC to DC converters, motor control and server power supplies applications.
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- 175°C Junction temperature
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- Improved mechanical and thermal characteristics
PSMN016-100YS中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
漏源极电阻 0.0127 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 117 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 51A
输入电容Ciss 2744pF @50VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 117 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4.1 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-669
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 电源管理, 工业, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, 电机驱动与控制
符合标准
RoHS标准 Exempt
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PSMN016-100YS
型号： PSMN016-100YS
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PSMN016-100YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 100 V, 12.7 mohm, 10 V, 3 V