PSMN5R0-30YL中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.00363 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 61 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 84.0 A
输入电容Ciss 1760pF @12VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 61 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4.1 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-669
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PSMN5R0-30YL
型号： PSMN5R0-30YL
制造商：
NXP
恩智浦
描述：N 通道 MOSFET，10A 至 99A，NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
替代型号PSMN5R0-30YL
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PSMN5R0-30YL NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PSMN5R0-30YL,115 安世 | 功能相似 | PSMN5R0-30YL和PSMN5R0-30YL,115的区别 |