N 通道 MOSFET，超过 100A，NXP semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
The is a 60V standard level N-channel MOSFET using advanced TrenchMOS provides low RDS on, low gate charge and high efficiency gains in switching power converters. Suitable for use in DC to DC converters, motor control and server power supplies applications.
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- 175°C Junction temperature
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- Improved mechanical and thermal characteristics
针脚数 4
漏源极电阻 3.6 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 130 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 3501pF @30VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
长度 5 mm
宽度 4.1 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-669
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 电机驱动与控制, Motor Drive & Control, 工业
RoHS标准 Exempt
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PSMN5R5-60YS NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7164DP-T1-GE3 威世 | 功能相似 | PSMN5R5-60YS和SI7164DP-T1-GE3的区别 |