PSMN6R1-30YLD

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PSMN6R1-30YLD中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.00505 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 47 W

阈值电压 1.68 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 66A

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PSMN6R1-30YLD
型号: PSMN6R1-30YLD
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PSMN6R1-30YLD  晶体管, MOSFET, N沟道, 66 A, 30 V, 0.00505 ohm, 10 V, 1.68 V

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