PMXB360ENEA中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.345 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 400 mW
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 1.1A
输入电容Ciss 130pF @40VVds
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 400mW Ta, 6.25W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DFN1010D-3
外形尺寸
封装 DFN1010D-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PMXB360ENEA
型号： PMXB360ENEA
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PMXB360ENEA 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 1.1 A, 80 V, 0.345 ohm, 10 V, 1.7 V