PMXB56EN

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PMXB56EN中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.049 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 400 mW

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.2A

输入电容Ciss 209pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 400mW Ta, 8.33W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN1010D-3

外形尺寸

封装 DFN1010D-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: PMXB56EN
制造商: NXP 恩智浦
描述:30V, N沟道MOSFET的沟道 30 V, N-channel Trench MOSFET

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