PMEG6010AED

PMEG6010AED图片1
PMEG6010AED图片2
PMEG6010AED图片3
PMEG6010AED概述

NXP  PMEG6010AED  小信号肖特基二极管, 单, 60 V, 1 A, 650 mV, 17.5 A, 150 °C

The is a planar maximum efficiency general application MEGA Schottky Barrier Diode encapsulated in a SOT457 SC-74 small surface-mounted device SMD plastic package. It is used for low power switched-mode power supplies, rectification and polarity protection.

.
Low switching losses
.
Very high surge current absorption capability
.
Fast recovery time
.
Guard ring protected
PMEG6010AED中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

正向电压 650 mV

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 17.5 A

正向电压Max 650 mV

工作温度Max 150 ℃

工作结温Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMEG6010AED
型号: PMEG6010AED
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PMEG6010AED  小信号肖特基二极管, 单, 60 V, 1 A, 650 mV, 17.5 A, 150 °C
替代型号PMEG6010AED
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PMEG6010AED

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PMEG6010AED,115

恩智浦

功能相似

PMEG6010AED和PMEG6010AED,115的区别

1PS79SB31

恩智浦

功能相似

PMEG6010AED和1PS79SB31的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台