PMR400UN,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PMR400UN,115概述

NXP PMR400UN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 700 mV

表面贴装型 N 通道 30 V 800mA（Tc） 530mW（Tc） SC-75

得捷:
MOSFET N-CH 30V 800MA SC75

e络盟:
NXP PMR400UN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 700 mV

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.8A 3-Pin SC-75 T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 0.8A SOT416

PMR400UN,115中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 530 mW

阈值电压 700 mV

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 800 mA

输入电容Ciss 43pF @25VVds

额定功率Max 530 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 530mW Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

宽度 0.9 mm

封装 SOT-416-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Portable Devices, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMR400UN,115

型号： PMR400UN,115

描述：NXP PMR400UN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 700 mV

替代型号PMR400UN,115