PMCM650VNE

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PMCM650VNE中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.021 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 556 mW

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 6.4A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 WLCSP

外形尺寸

封装 WLCSP

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: PMCM650VNE
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PMCM650VNE  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.4 A, 12 V, 0.021 ohm, 4.5 V, 600 mV

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