PMBFJ110,215

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PMBFJ110,215概述

NXP  PMBFJ110,215  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 10 mA, -500 mV, SOT-23

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
JFET N-CH 25V SOT23


欧时:
NXP PMBFJ110,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: min. 10mA, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装


贸泽:
JFET JFET N-CH 25V 6MA


艾睿:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R


安富利:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
PMBFJ110 系列 4 Vgs 50 mA 表面贴装 N沟道 结型 FET - SOT-23-3


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  PMBFJ110,215  JFET Transistor, N Channel, -25 V, 10 mA, -500 mV, SOT-23


RfMW:
PMBFJ110/SOT23/REELLP//


Win Source:
JFET N-CH 25V 250MW SOT23


PMBFJ110,215中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 -25.0 V

漏源极电阻 18 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 25 V

击穿电压 25 V

输入电容Ciss 30pF @10VVgs

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Audio, Power Management, Industrial, 音频, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PMBFJ110,215
型号: PMBFJ110,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PMBFJ110,215  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 10 mA, -500 mV, SOT-23
替代型号PMBFJ110,215
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