PMDXB550UNE

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PMDXB550UNE中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.55 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 285 mW

阈值电压 700 mV

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 590A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 DFN1010B

外形尺寸

封装 DFN1010B

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: PMDXB550UNE
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PMDXB550UNE  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 590 mA, 30 V, 0.55 ohm, 4.5 V, 700 mV

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