PMDXB600UNE

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PMDXB600UNE中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.47 Ω

耗散功率 265 mW

阈值电压 700 mV

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 21.3pF @10VVds

额定功率Max 265 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 XFDFN-6

外形尺寸

封装 XFDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMDXB600UNE
型号: PMDXB600UNE
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PMDXB600UNE  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV

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