NXP PMBF170,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 V
The is a N-channel enhancement-mode FET in a plastic package using TrenchMOS™ 1 technology. It is suitable for use in relay driver, high speed line driver and logic level translator applications.
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- Very fast switching
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- Logic level compatible
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- Subminiature surface-mount package
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- -65 to 150°C Operating junction temperature range
针脚数 3
漏源极电阻 2.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 300 mA
输入电容Ciss 40pF @10VVds
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 830mW Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automation & Process Control, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PMBF170,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PMBF170,235 恩智浦 | 类似代替 | PMBF170,215和PMBF170,235的区别 |
MMBF170LT1G 安森美 | 功能相似 | PMBF170,215和MMBF170LT1G的区别 |