PHKD6N02LT参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PHKD6N02LT中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 4.17 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 10.9A

封装参数

引脚数 8

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PHKD6N02LT

型号： PHKD6N02LT

制造商： NXP 恩智浦

描述：双N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET Dual N-channel TrenchMOS logic level FET

替代型号PHKD6N02LT

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PHKD6N02LT

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PHKD6N02LT,518

恩智浦

功能相似

PHKD6N02LT和PHKD6N02LT,518的区别