NXP PHD108NQ03LT,118 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 25 V, 0.0053 ohm, 10 V, 1.5 V
N-Channel 25V 75A Tc 187W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
e络盟:
NXP PHD108NQ03LT,118 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 25 V, 0.0053 ohm, 10 V, 1.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.0053 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 187 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 1375pF @12VVds
额定功率Max 187 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 187W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PHD108NQ03LT,118 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD060N03L G 英飞凌 | 功能相似 | PHD108NQ03LT,118和IPD060N03L G的区别 |
PHD108NQ03LT 安世 | 功能相似 | PHD108NQ03LT,118和PHD108NQ03LT的区别 |