NXP PHT4NQ10T,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V
The is a N-channel enhancement-mode FET in a plastic package using TrenchMOS™ technology. It is suitable for use in primary side switch in DC to DC converters, high speed line driver and fast general purpose switch applications.
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- Very fast switching
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- Surface-mount package
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- -65 to 150°C Junction temperature range
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 6.9 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 300pF @25VVds
额定功率Max 6.9 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 6.9W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
宽度 3.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PHT4NQ10T,135 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PHT4NQ10T/T3 恩智浦 | 类似代替 | PHT4NQ10T,135和PHT4NQ10T/T3的区别 |
STN2NF10 意法半导体 | 功能相似 | PHT4NQ10T,135和STN2NF10的区别 |