PESD5V0S1UL,315

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PESD5V0S1UL,315中文资料参数规格
技术参数

电容 200 pF

击穿电压 6.80 V

针脚数 2

耗散功率 150 W

钳位电压 20 V

测试电流 5 mA

脉冲峰值功率 150 W

最小反向击穿电压 6.4 V

击穿电压 6.4 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-882

外形尺寸

长度 1.02 mm

宽度 0.62 mm

高度 0.47 mm

封装 SOD-882

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PESD5V0S1UL,315
型号: PESD5V0S1UL,315
制造商: NXP 恩智浦
描述:ESD ElectroStatic Discharge Protection Unidirectional Diode Arrays, PESD Series, NXP ### 瞬态电压抑制器,NXP
替代型号PESD5V0S1UL,315
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PESD5V0S1UL,315

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

ESDALC6V1-1M2

意法半导体

功能相似

PESD5V0S1UL,315和ESDALC6V1-1M2的区别

ESDAXLC6-1MY2

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PESD5V0S1UL

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