PESD5V0S2UQ

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PESD5V0S2UQ概述

NXP  PESD5V0S2UQ  静电保护装置, TVS, 6.8 V, SOT-663, 3 引脚

极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 5V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 6.4V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 150W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 15A 额定耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Features • Double ESD protection diodes in SOT663 package • Uni-directional ESD protection of up to two lines • Max. peak pulse power: Ppp = 150 W at tp = 8/20 µs • Low clamping voltage: VCLR = 20 V at Ipp = 15 A • Low reverse leakage current: IRM < 1 nA • ESD protection > 30 kV • IEC 61000-4-2; level 4 ESD • IEC 61000-4-5 surge; Ipp = 15 A at tp = 8/20 µs. 描述与应用| 特性 •在SOT663封装双二极管 •单向ESD保护可至双线 •最大峰值脉冲功率:Ppp=150 W@tp= 8/20μs •低钳位电压:V(CL)R =20 V在IPP= 15 A •低反向漏电流:IRM<1 nA •ESD保护>30千伏 •IEC61000-4-2第4级(ESD) •IEC61000-4-5(浪涌); IPP= 15 A@tp= 8/20μs

PESD5V0S2UQ中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 6.80 V

针脚数 3

钳位电压 6.8 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-663

外形尺寸

封装 SOT-663

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Computers & Computer Peripherals, Audio, Imaging, Video & Vision, Communications & Networking

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

PESD5V0S2UQ引脚图与封装图
PESD5V0S2UQ引脚图
PESD5V0S2UQ封装图
PESD5V0S2UQ封装焊盘图
在线购买PESD5V0S2UQ
型号: PESD5V0S2UQ
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PESD5V0S2UQ  静电保护装置, TVS, 6.8 V, SOT-663, 3 引脚
替代型号PESD5V0S2UQ
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PESD5V0S2UQ

NXP 恩智浦

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当前型号

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