NXP PEMD48,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 230 MHz, 300 mW, 100 mA, 80 hFE
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
得捷:
NOW NEXPERIA PEMD48 - SMALL SIGN
e络盟:
NXP PEMD48,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 230 MHz, 300 mW, 100 mA, 80 hFE
艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-666 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
Verical:
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Newark:
# NXP PEMD48,115 Bipolar BJT Single Transistor, BRT, NPN, PNP, 50 V, 230 MHz, 300 mW, 100 mA, 80
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666-6
高度 0.6 mm
封装 SOT-666-6
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PEMD48,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PEMD48 恩智浦 | 功能相似 | PEMD48,115和PEMD48的区别 |