PEMD48,115

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PEMD48,115概述

NXP  PEMD48,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 230 MHz, 300 mW, 100 mA, 80 hFE

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666


得捷:
NOW NEXPERIA PEMD48 - SMALL SIGN


e络盟:
NXP  PEMD48,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 230 MHz, 300 mW, 100 mA, 80 hFE


艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-666 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R


Newark:
# NXP  PEMD48,115  Bipolar BJT Single Transistor, BRT, NPN, PNP, 50 V, 230 MHz, 300 mW, 100 mA, 80


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666


PEMD48,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

极性 NPN, PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 80

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666-6

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SOT-666-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PEMD48,115
型号: PEMD48,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PEMD48,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 230 MHz, 300 mW, 100 mA, 80 hFE
替代型号PEMD48,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PEMD48,115

NXP 恩智浦

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PEMD48

恩智浦

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