NXP PEMH4,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 300 mW, 100 mA, 200 hFE
The is a 10kR NPN-NPN Resistor Equipped Transistor RET in a plastic surface-mount package.
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- Built-in bias resistors
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- Simplified circuit design
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- Reduction of component count
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- Reduced pick and place costs
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- NPN-PNP complement is PEMD4
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- PNP-PNP complement is PEMB4
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- H4 Marking code
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666
高度 0.6 mm
封装 SOT-666
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PEMH4,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
NSBC114EDXV6T1G 安森美 | 功能相似 | PEMH4,115和NSBC114EDXV6T1G的区别 |
NSBC114YPDXV6T1G 安森美 | 功能相似 | PEMH4,115和NSBC114YPDXV6T1G的区别 |
NSBC114YDXV6T1G 安森美 | 功能相似 | PEMH4,115和NSBC114YDXV6T1G的区别 |