NXP PEMH9,115. 晶体管, 带电阻, NPN, 50V, 100mA, 10KΩ/47KΩ, 6-SOT-666
The is a dual NPN Resistor Equipped Transistor RET encapsulated in ultra-small surface-mount plastic package. It offers built-in bias resistors and simplifies circuit design. It is designed for use with low current peripheral driver, control of IC inputs and replaces general-purpose transistors in digital applications.
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- 100mA Output current capability
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- Reduces component count
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- AEC-Q101 Qualified
通道数 2
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666-6
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-666-6
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PEMH9,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PEMH9,315 恩智浦 | 完全替代 | PEMH9,115和PEMH9,315的区别 |
BZV55-C4V7,115 恩智浦 | 功能相似 | PEMH9,115和BZV55-C4V7,115的区别 |
NSBC114YDP6T5G 安森美 | 功能相似 | PEMH9,115和NSBC114YDP6T5G的区别 |