PDTD123YT

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PDTD123YT概述

NXP  PDTD123YT  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 500 mA, 70 hFE

The is a 2.2 to 10kR NPN Resistor Equipped Transistor RET in a surface-mount plastic package.

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Built-in bias resistors
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Reduces component count
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Simplifies circuit design
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Reduces pick and place costs
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±10% Resistor ratio tolerance
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PNP complement is PDTB123YT
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7X Marking code
PDTD123YT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

PDTD123YT引脚图与封装图
PDTD123YT引脚图
PDTD123YT封装图
PDTD123YT封装焊盘图
在线购买PDTD123YT
型号: PDTD123YT
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PDTD123YT  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 500 mA, 70 hFE
替代型号PDTD123YT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTD123YT

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PDTD123TT,215

恩智浦

完全替代

PDTD123YT和PDTD123TT,215的区别

PDTD123YT,215

安世

类似代替

PDTD123YT和PDTD123YT,215的区别

PDTD123ET,215

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