PDTC114ET,215参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTC114ET,215概述

NXP PDTC114ET,215 单晶体管双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 250 mW, 100 mA, 30 hFE

The is a NPN Resistor-equipped Transistor family in a small surface mounted device plastic package with 3 leads, built-in bias resistors, simplifies circuit design and reduces component count.

.: 100mA Output current capability

.: Reduces pick and place costs

.: AEC-Q101 Qualified

PDTC114ET,215中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用车用, 工业, Industrial, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买PDTC114ET,215

型号： PDTC114ET,215

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP PDTC114ET,215 单晶体管双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 250 mW, 100 mA, 30 hFE

立即咨询

替代型号PDTC114ET,215

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PDTC114ET,215 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PDTC114ET,235 恩智浦	类似代替	PDTC114ET,215和PDTC114ET,235的区别
MMUN2211LT1G 安森美	功能相似	PDTC114ET,215和MMUN2211LT1G的区别
DTC114EKAT146 罗姆半导体	功能相似	PDTC114ET,215和DTC114EKAT146的区别