PDTC114TT,215

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PDTC114TT,215概述

NXP  PDTC114TT,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-23

The is a NPN Resistor Equipped Transistor RET housed in surface-mount plastic package. It offers built-in bias resistors and simplifies circuit design. It is designed for use with control of IC inputs, cost-saving alternative for BC847/857 series in digital applications and switching load applications.

.
100mA Output current capability
.
Reduces component count
PDTC114TT,215中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PDTC114TT,215
型号: PDTC114TT,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PDTC114TT,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-23
替代型号PDTC114TT,215
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