PDTC123JE,115

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PDTC123JE,115概述

NXP  PDTC123JE,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 150 mW, 100 mA, 100 hFE

双电阻器数字 NPN ,Nexperia


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75


欧时:
NXP PDTC123JE,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 SOT-416封装


e络盟:
NXP  PDTC123JE,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 150 mW, 100 mA, 100 hFE


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R


安富利:
* 100 mA output current capability * Reduces component count * Built-in bias resistors * Reduces pick and place costs * Simplifies circuit design * AEC-Q101 qualified


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-75 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R


Newark:
# NXP  PDTC123JE,115  Bipolar BJT Single Transistor, Brt, NPN, 50 V, 230 MHz, 150 mW, 100 mA, 100 hFE


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75


PDTC123JE,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

长度 1.8 mm

宽度 0.9 mm

高度 0.85 mm

封装 SOT-416-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PDTC123JE,115
型号: PDTC123JE,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PDTC123JE,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 150 mW, 100 mA, 100 hFE
替代型号PDTC123JE,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTC123JE,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

DTC123JET1G

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