NXP PDTB113ZT 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE
The is a 1 to 10kR PNP Resistor Equipped Transistor RET in a small surface-mount plastic package.
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 70
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PDTB113ZT NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PDTB113ZT,215 安世 | 功能相似 | PDTB113ZT和PDTB113ZT,215的区别 |
PDTB113ET,215 恩智浦 | 功能相似 | PDTB113ZT和PDTB113ET,215的区别 |