PDTB113ZT

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PDTB113ZT概述

NXP  PDTB113ZT  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE

The is a 1 to 10kR PNP Resistor Equipped Transistor RET in a small surface-mount plastic package.

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Reduces pick and place costs
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Built-in bias resistors
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Simplifies circuit design
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Reduces component count
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AEC-Q101 qualified
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±10% Resistor ratio tolerance
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NPN complement is PDTD113ZT
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7W Marking code
PDTB113ZT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 70

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

PDTB113ZT引脚图与封装图
PDTB113ZT引脚图
PDTB113ZT封装图
PDTB113ZT封装焊盘图
在线购买PDTB113ZT
型号: PDTB113ZT
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PDTB113ZT  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE
替代型号PDTB113ZT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTB113ZT

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

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