PDTB123ET参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTB123ET中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 40

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

PDTB123ET引脚图与封装图

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型号： PDTB123ET

制造商： NXP 恩智浦

描述：PNP 晶体管，NXP ### 数字晶体管，NXP 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。提供单和双晶体管型号。

替代型号PDTB123ET