PDTC115EMB

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PDTC115EMB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 20mA

直流电流增益hFE 80

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-883

外形尺寸

封装 SOT-883

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: PDTC115EMB
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PDTC115EMB  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 230 MHz, 250 mW, 20 mA, 80 hFE

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