PDTC115EE,115

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PDTC115EE,115概述

NXP  PDTC115EE,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 80 hFE

双电阻器数字 NPN ,Nexperia


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75


欧时:
NXP PDTC115EE,115 NPN 数字晶体管, 0.02 A, Vce=50 V, 100 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-416封装


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 20mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 20mA 3-Pin SC-75 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 20mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R


Newark:
# NXP  PDTC115EE,115  Bipolar BJT Single Transistor, Brt, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 80 hFE


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75


PDTC115EE,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 20mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 80

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

长度 1.8 mm

宽度 0.9 mm

高度 0.85 mm

封装 SOT-416-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PDTC115EE,115
型号: PDTC115EE,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PDTC115EE,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 80 hFE
替代型号PDTC115EE,115
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