PDTC115ET概述
NXP PDTC115ET 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 100 mA, 80 hFE
The is a 10 to 100kR NPN Resistor Equipped Transistor RET in a surface-mount plastic package.
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- Built-in bias resistors
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- Simplified circuit design
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- Reduction of component count
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- Reduced pick and place costs
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- PNP complement is PDTA115ET
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- 44 Marking code
PDTC115ET中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 20mA
最小电流放大倍数hFE 80
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PDTC115ET引脚图与封装图 
在线购买PDTC115ET
替代型号PDTC115ET
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTC115ET NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PDTC115EE,115 恩智浦 | 功能相似 | PDTC115ET和PDTC115EE,115的区别 |