PDTC123EE,115

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PDTC123EE,115概述

NXP  PDTC123EE,115  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率, SOT-416

- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 表面贴装型 SC-75


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-75 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-75 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R


Newark:
# NXP  PDTC123EE,115  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1, SOT-416


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75


DeviceMart:
TRANS NPN W/RES SOT-416


PDTC123EE,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @20mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

高度 0.85 mm

封装 SOT-416-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PDTC123EE,115
型号: PDTC123EE,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PDTC123EE,115  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率, SOT-416
替代型号PDTC123EE,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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