NXP PDTC123EE,115 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率, SOT-416
- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 表面贴装型 SC-75
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-75 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-75 T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R
Newark:
# NXP PDTC123EE,115 Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1, SOT-416
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
DeviceMart:
TRANS NPN W/RES SOT-416
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @20mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
高度 0.85 mm
封装 SOT-416-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PDTC123EE,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC123JET1G 安森美 | 功能相似 | PDTC123EE,115和DTC123JET1G的区别 |
DTC123JMT2L 罗姆半导体 | 功能相似 | PDTC123EE,115和DTC123JMT2L的区别 |
DTC123EM3T5G 安森美 | 功能相似 | PDTC123EE,115和DTC123EM3T5G的区别 |